趙子強

　　繼美國與荷蘭之后，7月23日，日本限制半導體制造設備出口的新規也正式生效，這給我國半導體產業最尖端的芯片制造領域帶來巨大壓力。

　　光刻機是一種利用光學原理將電路圖案轉移到硅片上的設備，相當于芯片制造的“打印機”，決定著芯片的工藝水平和性能，是芯片制造中的關鍵核心設備，也是半導體產業核心中的核心。全球光刻機市場幾乎被荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的佳能和尼康壟斷，其中ASML更是獨占高端極紫外光刻機（EUV）的市場份額。隨著這些國家對中國半導體制造設備實施出口限制，中國獲取高端光刻機的難度將進一步加大。

　　目前最先進的EUV光刻機，有超過45萬個零件，零件數量是一輛F1賽車的20倍以上，制造難度超乎想象。即便是處于世界EUV光刻機制造壟斷地位的ASML，大約也只生產了其中的15%，另外85%的零件需要從全球的供應鏈整合而來。因此，推進我國光刻機關鍵技術研發，提升半導體設備國產化率，是當下乃至未來相當長一段時間內，既重要緊迫，同時又有很高難度的攻堅任務。

　　一方面，要看到在國家政策支持和市場需求驅動下，近年來我國在光刻機領域取得了積極進展。近日，有消息稱，上海微電子正在致力于研發28納米浸沒式光刻機，預計在2023年底將國產第一臺SSA/800-10W光刻機設備交付市場。2022年11月15日，國家知識產權局公布了華為的一項新專利“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”(CN115343915A)，這是在EUV光刻機核心技術上取得的突破性進展。另外，華中科技大學研制的OPC系統、哈爾濱工業大學研制的激光干涉系統等，也各自有所突破。同時，我國也在加快推進14納米、7納米甚至更低節點的光刻機研發工作。

　　我國可量產90納米以上的光刻機，與國際先進水平雖有差距，但也能滿足國內市場部分需要。這表明，我國在光刻機領域具有一定的技術積累和人才儲備，有望逐步縮小與國際先進水平的差距。

　　另一方面，也要看到光刻機涉及光學、精密機械、材料、控制等多領域復雜技術，關鍵技術研發具有超高難度，僅有政策和資金支持還遠遠不夠，還需要包括技術、人才、數據等各種資源的高效組合。發揮好資本市場的資源配置功能，對光刻機產業而言大有裨益。資本市場可以為光刻機相關企業提供融資渠道，幫助企業擴大生產規模、增加研發投入、引進人才和技術等，提高企業的競爭力和創新能力。資本市場可以為光刻機相關企業提供價值評估和激勵機制，促進企業提高質量和效率，增強市場信心和影響力，吸引更多的合作伙伴和客戶。資本市場還可以為光刻機相關企業提供信息傳遞和監督功能，增加企業的透明度和公信力，促進企業與政府、行業協會、科研機構等的溝通和協調，形成良好的產業生態。

　　光刻機是半導體產業“王冠上的明珠”，推進其關鍵技術研發，提升半導體設備國產化率，是我國半導體產業發展的必由之路。路雖遠，行則將至！