9月9日，日前，華為公司通過(guò)旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，后者是一家以碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司，這意味著華為正在布局新一代半導(dǎo)體技術(shù)。

　　在半導(dǎo)體材料上其實(shí)有一、二、三代的說(shuō)法。其中第一代半導(dǎo)體材料是以硅(Si)為代表，第二代以砷化鎵(GaAs)為代表，第三代則是以以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等為代表。

　　據(jù)了解，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在制造高溫、高頻、抗輻射及大功率器件方面有優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)、5G通訊、汽車IGBT芯片、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為在5G和人工智能時(shí)代，第三代半導(dǎo)體材料將會(huì)迎來(lái)大發(fā)展。

　　華為沒有公布投資碳化硅技術(shù)的具體內(nèi)容，不過(guò)碳化硅主要應(yīng)用市場(chǎng)與華為現(xiàn)在及未來(lái)的很多業(yè)務(wù)有關(guān)。此前華為在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局一直以IC設(shè)計(jì)業(yè)為主，擁有自有的第三代半導(dǎo)體材料渠道，對(duì)于華為而言可以讓其在芯片材料供應(yīng)上不受限制，助其在5G時(shí)代擁有更多的主動(dòng)權(quán)。